+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
TC58BVG1S3HBAI6

Kioxia America, Inc.

TC58BVG1S3HBAI6

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Memory Density
2147483648 bit
Uzunluk
8mm
Terminal Sayısı
67
Seri
Benand™
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Genişlik
6.5mm
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Organization
256MX8
Parça Durumu
Active
Yüzey Montaj
YES
Montaj Tipi
Surface Mount
Jesd30 Code
R-PBGA-B67
Memory Types
Non-Volatile
Maks. Oturma Yüksekliği
1mm
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Memory Width
8
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Kılıf / Paket
67-VFBGA
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Memory Size
2Gb 256M x 8
Terminal Adımı
0.8mm
Besleme Gerilimi
3.3V
Programming Voltage
3.3V
Ambalaj
Tray
Write Cycle Time Word Page
25ns
RoHS Durumu
RoHS Compliant
Fonksiyon Sayısı
1
Memory Format
FLASH
Operating Mode
ASYNCHRONOUS
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Memory Interface
Parallel

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek