+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
TC58BVG1S3HBAI4

Kioxia America, Inc.

TC58BVG1S3HBAI4

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Terminal Adımı
0.8mm
Memory Size
2Gb 256M x 8
Jesd30 Code
R-PBGA-B63
Maks. Oturma Yüksekliği
1mm
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Memory Types
Non-Volatile
Memory Width
8
Kılıf / Paket
63-VFBGA
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Organization
256MX8
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Genişlik
9mm
Parça Durumu
Active
Yüzey Montaj
YES
Montaj Tipi
Surface Mount
Memory Density
2147483648 bit
Terminal Sayısı
63
Seri
Benand™
Uzunluk
11mm
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Memory Format
FLASH
Parallelserial
PARALLEL
Operating Mode
ASYNCHRONOUS
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Ambalaj
Tray
Write Cycle Time Word Page
25ns
RoHS Durumu
RoHS Compliant
Fonksiyon Sayısı
1
Besleme Gerilimi
3.3V
Programming Voltage
3.3V
Terminal Formu
BALL

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek