+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
TC58BVG0S3HTA00

Kioxia America, Inc.

TC58BVG0S3HTA00

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Operating Mode
ASYNCHRONOUS
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Memory Format
FLASH
Memory Interface
Parallel
Programming Voltage
3.3V
Besleme Gerilimi
3.3V
RoHS Durumu
RoHS Compliant
Fonksiyon Sayısı
1
Ambalaj
Tray
Write Cycle Time Word Page
25ns
Memory Width
8
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Kılıf / Paket
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
Jesd30 Code
R-PDSO-G48
Memory Types
Non-Volatile
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Maks. Oturma Yüksekliği
1.2mm
Memory Size
1Gb 128M x 8
Terminal Adımı
0.5mm
Çalışma Sıcaklığı
0°C~70°C TA
Uzunluk
18.4mm
Terminal Sayısı
48
Seri
Benand™
Terminal Pozisyonu
DUAL
Memory Density
1073741824 bit
Parça Durumu
Active
Montaj Tipi
Surface Mount
Yüzey Montaj
YES
Genişlik
12mm
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Organization
128MX8

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek