Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Format
- FLASH
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Operating Mode
- ASYNCHRONOUS
- Memory Interface
- Parallel
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Programming Voltage
- 3.3V
- Write Cycle Time Word Page
- 25ns
- Ambalaj
- Tray
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1mm
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Memory Types
- Non-Volatile
- Jesd30 Code
- R-PBGA-B67
- Kılıf / Paket
- 67-VFBGA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Memory Width
- 8
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Size
- 1Gb 128M x 8
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Memory Density
- 1073741824 bit
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Terminal Sayısı
- 67
- Seri
- Benand™
- Uzunluk
- 8mm
- Organization
- 128MX8
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Genişlik
- 6.5mm
- Yüzey Montaj
- YES
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Parça Durumu
- Active
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory