+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
TC58BVG0S3HBAI4

Kioxia America, Inc.

TC58BVG0S3HBAI4

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Write Cycle Time Word Page
25ns
Ambalaj
Tray
Fonksiyon Sayısı
1
RoHS Durumu
RoHS Compliant
Besleme Gerilimi
3.3V
Programming Voltage
3.3V
Memory Interface
Parallel
Memory Format
FLASH
Operating Mode
ASYNCHRONOUS
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Genişlik
9mm
Organization
128MX8
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Yüzey Montaj
YES
Montaj Tipi
Surface Mount
Parça Durumu
Active
Memory Density
1073741824 bit
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Uzunluk
11mm
Terminal Sayısı
63
Seri
Benand™
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Terminal Adımı
0.8mm
Memory Size
1Gb 128M x 8
Memory Types
Non-Volatile
Maks. Oturma Yüksekliği
1mm
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Jesd30 Code
R-PBGA-B63
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Kılıf / Paket
63-VFBGA
Memory Width
8

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek