Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 2.5V~3.6V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Besleme Gerilimi
- 2.8V
- Terminal Sayısı
- 32
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Memory Interface
- Parallel
- Word Size
- 8b
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.5V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Write Cycle Time Word Page
- 55ns
- Uzunluk
- 20.95mm
- Nominal Supply Current
- 45mA
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Kılıf / Paket
- 32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Address Bus Width
- 19b
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
- Pin Sayısı
- 32
- Pin Sayısı
- 32
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Memory Types
- Volatile
- Memory Format
- SRAM
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Montaj
- Surface Mount
- Memory Width
- 8
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Parça Durumu
- Active
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Number Of Ports
- 1
- Usage Level
- Industrial grade
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Density
- 4 Mb
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 2 (1 Year)
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Syncasync
- Asynchronous
- Access Time Max
- 55 ns
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory