Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$1.24
- 10+ adet$1.17
- 100+ adet$1.10
- 500+ adet$1.04
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Ambalaj
- Tray
- Memory Format
- SRAM
- Kılıf / Paket
- 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Yükseklik
- 1.05mm
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Parça Durumu
- Active
- Max Frequency
- 18MHz
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Address Bus Width
- 17b
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Size
- 2Mb 128K x 16
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Word Size
- 16b
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Terminal Sayısı
- 44
- Pin Sayısı
- 44
- Besleme Gerilimi
- 2.5V~3.6V
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Memory Types
- Volatile
- Syncasync
- Asynchronous
- Access Time Max
- 55 ns
- Memory Interface
- Parallel
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.5V
- Standby Voltagemin
- 1V
- Pin Sayısı
- 44
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Nominal Supply Current
- 3mA
- Montaj
- Surface Mount
- Density
- 2 Mb
- Number Of Ports
- 1
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Usage Level
- Industrial grade
- Uzunluk
- 18.52mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory