Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$4.94
- 10+ adet$4.66
- 100+ adet$4.40
- 500+ adet$4.15
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Write Cycle Time Word Page
- 55ns
- Io Type
- COMMON
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 10
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Density
- 8 Mb
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Nominal Supply Current
- 25mA
- Number Of Ports
- 1
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Standby Currentmax
- 0.00004A
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Pin Sayısı
- 44
- Access Time Max
- 55 ns
- Memory Interface
- Parallel
- Terminal Sayısı
- 44
- Word Size
- 8b
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Syncasync
- Asynchronous
- Memory Types
- Volatile
- Pin Sayısı
- 44
- Yüzey Montaj
- YES
- Besleme Gerilimi
- 2.4V~3.6V
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Memory Size
- 8Mb 1M x 8
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Parça Durumu
- Active
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Address Bus Width
- 20b
- Memory Width
- 8
- Power Supplies
- 2.5/3.3V
- Memory Format
- SRAM
- Ambalaj
- Tray
- Supply Voltagemax Vsup
- 2.2V
- Reach Svhc
- No SVHC
- JESD-609 Kodu
- e3
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory

