Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$0.96
- 10+ adet$0.90
- 100+ adet$0.85
- 500+ adet$0.80
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Standby Currentmax
- 0.00002A
- Standby Voltagemin
- 2V
- Pin Sayısı
- 28
- Access Time Max
- 45 ns
- Usage Level
- Industrial grade
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Parça Durumu
- Active
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Organization
- 32KX8
- Address Bus Width
- 15b
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.63V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Format
- SRAM
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Terminal Sayısı
- 28
- Pin Sayısı
- 28
- Memory Types
- Volatile
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.97V
- Memory Interface
- Parallel
- Io Type
- COMMON
- Write Cycle Time Word Page
- 45ns
- Genişlik
- 8mm
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- ECCN Kodu
- EAR99
- Nominal Supply Current
- 12mA
- Density
- 256 kb
- Number Of Ports
- 1
- Max Frequency
- 22MHz
- Reach Svhc
- No SVHC
- Ambalaj
- Tray
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory