Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Memory Size
- 1Mb 64K x 16
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Syncasync
- Asynchronous
- Memory Types
- Volatile
- Pin Sayısı
- 32
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Terminal Sayısı
- 44
- Word Size
- 16b
- Kılıf / Paket
- 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Ambalaj
- Tray
- Memory Format
- SRAM
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.63V
- Reach Svhc
- No SVHC
- JESD-609 Kodu
- e3
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Address Bus Width
- 16b
- Max Frequency
- 83MHz
- Memory Width
- 16
- Parça Durumu
- Active
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Number Of Ports
- 1
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Montaj
- Surface Mount
- Density
- 1 Mb
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Nominal Supply Current
- 45mA
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Write Cycle Time Word Page
- 12ns
- Usage Level
- Industrial grade
- Io Type
- COMMON
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G44
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory