Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$11.50
- 10+ adet$10.84
- 100+ adet$10.23
- 500+ adet$9.65
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.4V
- Memory Interface
- Parallel
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 2 (1 Year)
- Pin Sayısı
- 90
- Number Of Ports
- 1
- Density
- 16 Mb
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Nominal Supply Current
- 90mA
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Write Cycle Time Word Page
- 10ns
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Usage Level
- Industrial grade
- Kılıf / Paket
- 90-TFBGA
- Ambalaj
- Tray
- Memory Format
- SRAM
- JESD-609 Kodu
- e1
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Address Bus Width
- 19b
- Memory Width
- 32
- Parça Durumu
- Active
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Memory Size
- 16Mb 512K x 32
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Syncasync
- Asynchronous
- Memory Types
- Volatile
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Besleme Gerilimi
- 1.65V~3.6V
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Pin Sayısı
- 90
- Yüzey Montaj
- YES
- Terminal Sayısı
- 90
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Word Size
- 32b
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory