Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$7.14
- 10+ adet$6.74
- 100+ adet$6.36
- 500+ adet$6.00
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Interface
- Parallel
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.97V
- Access Time Max
- 8 ns
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Standby Currentmax
- 0.006A
- Standby Voltagemin
- 2V
- Number Of Ports
- 1
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Nominal Supply Current
- 45mA
- Density
- 4 Mb
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Usage Level
- Industrial grade
- Io Type
- COMMON
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Write Cycle Time Word Page
- 8ns
- Qualification Status
- Not Qualified
- Kılıf / Paket
- 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.63V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Ambalaj
- Tray
- Memory Format
- SRAM
- Memory Width
- 16
- Address Bus Width
- 18b
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Parça Durumu
- Active
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 225
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Memory Size
- 4Mb 256K x 16
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Pin Sayısı
- 44
- Yüzey Montaj
- YES
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Syncasync
- Asynchronous
- Memory Types
- Volatile
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory