Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$2.46
- 10+ adet$2.32
- 100+ adet$2.19
- 500+ adet$2.06
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Access Time Max
- 10 ns
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.4V
- Memory Interface
- Parallel
- Standby Voltagemin
- 2V
- Standby Currentmax
- 0.006A
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Memory Density
- 16777216 bit
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Io Type
- COMMON
- Uzunluk
- 8mm
- Usage Level
- Industrial grade
- Qualification Status
- Not Qualified
- Write Cycle Time Word Page
- 10ns
- Genişlik
- 6mm
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- JESD-609 Kodu
- e3
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Ambalaj
- Tray
- Memory Format
- SRAM
- Kılıf / Paket
- 48-TFBGA
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Parça Durumu
- Active
- Power Supplies
- 2.5/3.3V
- Memory Width
- 16
- Organization
- 1MX16
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 225
- Memory Size
- 4Mb 256K x 16
- Terminal Sayısı
- 48
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Terminal Adımı
- 0.75mm
- Besleme Gerilimi
- 2.4V~3.6V
- Yüzey Montaj
- YES
- Pin Sayısı
- 48
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory