+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
IS61WV12816DBLL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV12816DBLL-10BLI-TR

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Supply Voltagemax Vsup
3.6V
JESD-609 Kodu
e3
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Memory Format
SRAM
Kılıf / Paket
48-TFBGA
Besleme Gerilimi
3.3V
Montaj Tipi
Surface Mount
Parça Durumu
Active
Memory Width
16
Power Supplies
2.5/3.3V
Address Bus Width
17b
Fonksiyon Sayısı
1
Radyasyon Dayanımı
No
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
225
Memory Size
2Mb 128K x 16
Word Size
16b
Fabrika Tedarik Süresi
8 Weeks
Terminal Sayısı
48
Yüzey Montaj
YES
Pin Sayısı
48
Terminal Adımı
0.75mm
Besleme Gerilimi
3V~3.6V
Terminal Kaplaması
MATTE TIN
Memory Types
Volatile
Syncasync
Asynchronous
Supply Voltagemin Vsup
2.4V
Memory Interface
Parallel
Standby Currentmax
0.00007A
Standby Voltagemin
2V
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Nominal Supply Current
65mA
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Density
2 Mb
Output Characteristics
3-STATE
Number Of Ports
1
Usage Level
Industrial grade
Uzunluk
8mm
Io Type
COMMON
Kurşunsuz Kodu
yes
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek