Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Number Of Ports
- 2
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Nominal Supply Current
- 700mA
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Density
- 36 Mb
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.7mm
- Montaj
- Surface Mount
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Io Type
- SEPARATE
- Uzunluk
- 17mm
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.71V
- Memory Interface
- Parallel
- Pin Sayısı
- 165
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 2 (1 Year)
- Standby Voltagemin
- 1.71V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Operating Supply Voltage
- 1.8V
- Memory Size
- 36Mb 2M x 18
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Access Time
- 7.5ns
- Terminal Adımı
- 1mm
- Besleme Gerilimi
- 1.71V~1.89V
- Clock Frequency
- 250MHz
- Pin Sayısı
- 165
- Memory Types
- Volatile
- Syncasync
- Synchronous
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Word Size
- 18b
- Terminal Sayısı
- 165
- Kılıf / Paket
- 165-LBGA
- JESD-609 Kodu
- e1
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.89V
- Memory Format
- SRAM
- Ambalaj
- Tray
- Memory Width
- 18
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory