Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Access Time
- 3.1ns
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Memory Size
- 4.5Mb 256K x 18
- Word Size
- 18b
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Terminal Sayısı
- 100
- Clock Frequency
- 200MHz
- Yüzey Montaj
- YES
- Pin Sayısı
- 100
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Besleme Gerilimi
- 3.135V~3.465V
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Memory Types
- Volatile
- Syncasync
- Synchronous
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.465V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Ambalaj
- Tray
- Memory Format
- SRAM
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Parça Durumu
- Active
- Memory Width
- 18
- Address Bus Width
- 18b
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Nominal Supply Current
- 210mA
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.6mm
- Density
- 4 Mb
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Number Of Ports
- 2
- Usage Level
- Industrial grade
- Io Type
- COMMON
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory