Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Parça Durumu
- Active
- Memory Width
- 36
- Address Bus Width
- 18b
- Organization
- 256KX36
- Additional Feature
- FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
- JESD-609 Kodu
- e3
- Ambalaj
- Tray
- Memory Format
- SRAM
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- Word Size
- 36b
- Terminal Sayısı
- 100
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Besleme Gerilimi
- 3.135V~3.465V
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Pin Sayısı
- 100
- Yüzey Montaj
- YES
- Clock Frequency
- 117MHz
- Syncasync
- Synchronous
- Memory Types
- Volatile
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Access Time
- 7.5ns
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Memory Size
- 9Mb 256K x 36
- Standby Currentmax
- 0.05A
- Pin Sayısı
- 100
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 2 (1 Year)
- Memory Interface
- Parallel
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.135V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Usage Level
- Industrial grade
- Uzunluk
- 20mm
- Io Type
- COMMON
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory