Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$8.84
- 10+ adet$8.34
- 100+ adet$7.87
- 500+ adet$7.42
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.135V
- Memory Interface
- Parallel
- Pin Sayısı
- 100
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Standby Voltagemin
- 3.14V
- Standby Currentmax
- 0.035A
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Number Of Ports
- 2
- Nominal Supply Current
- 160mA
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Density
- 4 Mb
- Genişlik
- 14.1mm
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Io Type
- COMMON
- Uzunluk
- 20.1mm
- Usage Level
- Industrial grade
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- JESD-609 Kodu
- e3
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.465V
- Ambalaj
- Tray
- Memory Format
- SRAM
- Additional Feature
- FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
- Address Bus Width
- 18b
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Yükseklik
- 1.45mm
- Parça Durumu
- Active
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Memory Size
- 4.5Mb 256K x 18
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Access Time
- 7.5ns
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Besleme Gerilimi
- 3.135V~3.465V
- Clock Frequency
- 117MHz
- Yüzey Montaj
- YES
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory