Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$4.94
- 10+ adet$4.66
- 100+ adet$4.40
- 500+ adet$4.15
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Number Of Ports
- 1
- Density
- 4 Mb
- Montaj
- Surface Mount
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Nominal Supply Current
- 110mA
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Genişlik
- 8mm
- Write Cycle Time Word Page
- 10ns
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Usage Level
- Industrial grade
- Uzunluk
- 10mm
- Io Type
- COMMON
- Memory Interface
- Parallel
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Pin Sayısı
- 48
- Standby Voltagemin
- 2V
- Memory Size
- 4Mb 256K x 16
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Memory Types
- Volatile
- Syncasync
- Asynchronous
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Terminal Adımı
- 0.75mm
- Besleme Gerilimi
- 3.135V~3.6V
- Pin Sayısı
- 48
- Terminal Sayısı
- 48
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Word Size
- 16b
- Kılıf / Paket
- 48-TFBGA
- Ambalaj
- Tray
- Memory Format
- SRAM
- JESD-609 Kodu
- e1
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.63V
- Address Bus Width
- 18b
- Kurşunsuz
- Lead Free
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory