Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$13.36
- 10+ adet$12.61
- 100+ adet$11.89
- 500+ adet$11.22
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- JESD-609 Kodu
- e3
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.465V
- Ambalaj
- Tray
- Memory Format
- SRAM
- Memory Width
- 18
- Address Bus Width
- 19b
- Additional Feature
- PIPELINED ARCHITECTURE
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Parça Durumu
- Active
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Memory Size
- 9Mb 512K x 18
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Access Time
- 3.1ns
- Besleme Gerilimi
- 3.135V~3.465V
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Pin Sayısı
- 100
- Yüzey Montaj
- YES
- Clock Frequency
- 200MHz
- Syncasync
- Synchronous
- Memory Types
- Volatile
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Word Size
- 18b
- Terminal Sayısı
- 100
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Memory Interface
- Parallel
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.135V
- Pin Sayısı
- 100
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 2 (1 Year)
- Standby Voltagemin
- 3.14V
- Standby Currentmax
- 0.105A
- Number Of Ports
- 2
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Nominal Supply Current
- 275mA
- Density
- 9 Mb
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.6mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory