Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$6.07
- 10+ adet$5.73
- 100+ adet$5.40
- 500+ adet$5.10
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.135V
- Memory Interface
- Parallel
- Pin Sayısı
- 100
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Memory Density
- 4718592 bit
- Standby Voltagemin
- 3.14V
- Standby Currentmax
- 0.085A
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.6mm
- Genişlik
- 14mm
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 10
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Io Type
- COMMON
- Uzunluk
- 20mm
- Usage Level
- Industrial grade
- Qualification Status
- Not Qualified
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- JESD-609 Kodu
- e3
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.465V
- Memory Format
- SRAM
- Ambalaj
- Tray
- Power Supplies
- 2.52.5/3.3V
- Memory Width
- 36
- Organization
- 128KX36
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Parça Durumu
- Active
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Size
- 4.5Mb 128K x 36
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Access Time
- 3.1ns
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Besleme Gerilimi
- 3.135V~3.465V
- Clock Frequency
- 200MHz
- Yüzey Montaj
- YES
- Pin Sayısı
- 100
- Memory Types
- Volatile
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory