Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$9.53
- 10+ adet$8.99
- 100+ adet$8.48
- 500+ adet$8.00
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Density
- 2 Mb
- Nominal Supply Current
- 190mA
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Number Of Ports
- 1
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Uzunluk
- 20.1mm
- Io Type
- COMMON
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Genişlik
- 14.1mm
- Memory Interface
- Parallel
- Standby Currentmax
- 0.04A
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Pin Sayısı
- 100
- Access Time
- 4ns
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Memory Size
- 2Mb 64K x 32
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal Sayısı
- 100
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Word Size
- 32b
- Memory Types
- Volatile
- Syncasync
- Synchronous
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Besleme Gerilimi
- 3.135V~3.6V
- Clock Frequency
- 133MHz
- Yüzey Montaj
- YES
- Pin Sayısı
- 100
- Ambalaj
- Tray
- Memory Format
- SRAM
- JESD-609 Kodu
- e3
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.465V
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- Parça Durumu
- Active
- Montaj Tipi
- Surface Mount
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory