Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Size
- 9Mb 256K x 36
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Access Time
- 7.5ns
- Besleme Gerilimi
- 3.135V~3.6V
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Yüzey Montaj
- YES
- Clock Frequency
- 117MHz
- Syncasync
- Synchronous
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Word Size
- 36b
- Kılıf / Paket
- 100-LQFP
- Max Supply Current
- 185mA
- Ambalaj
- Tray
- Additional Feature
- FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
- Number Of Ports
- 4
- Nominal Supply Current
- 185mA
- Density
- 9 Mb
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.A
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Uzunluk
- 20mm
- Io Type
- COMMON
- Supply Voltagemin Vsup
- 3.135V
- Memory Interface
- Parallel
- Weight
- 657.000198mg
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 2 (1 Year)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Pin Sayısı
- 100
- Memory Types
- Volatile
- Terminal Sayısı
- 100
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Format
- SRAM
- Memory Width
- 36
- Address Bus Width
- 18b
- Organization
- 256KX36
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory