Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$5.97
- 10+ adet$5.63
- 100+ adet$5.31
- 500+ adet$5.01
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Number Of Ports
- 1
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Nominal Supply Current
- 50mA
- Density
- 4 Mb
- Genişlik
- 10.29mm
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Usage Level
- Industrial grade
- Uzunluk
- 18.52mm
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Write Cycle Time Word Page
- 10ns
- Memory Interface
- Parallel
- Pin Sayısı
- 44
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 2 (1 Year)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Size
- 4Mb 256K x 16
- Operating Supply Voltage
- 5V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Pin Sayısı
- 44
- Yüzey Montaj
- YES
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Besleme Gerilimi
- 4.5V~5.5V
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Syncasync
- Asynchronous
- Memory Types
- Volatile
- Word Size
- 16b
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Terminal Sayısı
- 44
- Kılıf / Paket
- 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Format
- SRAM
- Ambalaj
- Tray
- Address Bus Width
- 18b
- Yükseklik
- 1.05mm
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Parça Durumu
- Active
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory

