Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$18.44
- 10+ adet$17.39
- 100+ adet$16.41
- 500+ adet$15.48
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Parça Durumu
- Active
- Memory Width
- 32
- Organization
- 16MX32
- Address Bus Width
- 15b
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.95V
- JESD-609 Kodu
- e1
- Memory Format
- DRAM
- Fabrika Tedarik Süresi
- 14 Weeks
- Terminal Sayısı
- 90
- HTS Kodu
- 8542.32.00.28
- Pin Sayısı
- 90
- Memory Types
- Volatile
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Operating Supply Voltage
- 1.8V
- Standby Currentmax
- 0.00001A
- Pin Sayısı
- 90
- Usage Level
- Automotive grade
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Sequential Burst Length
- 24816
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~105°C TA
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Ambalaj
- Tray
- Kılıf / Paket
- 90-TFBGA
- Clock Frequency
- 166MHz
- Yüzey Montaj
- YES
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.95V
- Terminal Kaplaması
- TIN SILVER COPPER
- Interleaved Burst Length
- 24816
- Access Time
- 5.5ns
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Memory Size
- 512Mb 16M x 32
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Memory Interface
- Parallel
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory