Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Kılıf / Paket
- 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Ambalaj
- Tray
- Memory Format
- DRAM
- Memory Width
- 16
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Address Bus Width
- 13b
- Organization
- 16MX16
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Parça Durumu
- Active
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Memory Size
- 256Mb 16M x 16
- Interleaved Burst Length
- 1248
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Access Time
- 5.4ns
- Clock Frequency
- 143MHz
- Yüzey Montaj
- YES
- Pin Sayısı
- 54
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Memory Types
- Volatile
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Terminal Sayısı
- 54
- Supply Voltagemin Vsup
- 3V
- Memory Interface
- Parallel
- Pin Sayısı
- 54
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Standby Currentmax
- 0.004A
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Number Of Ports
- 1
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Density
- 256 Mb
- Refresh Cycles
- 8192
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- ECCN Kodu
- EAR99
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory