Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$3.40
- 10+ adet$3.21
- 100+ adet$3.03
- 500+ adet$2.85
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Format
- DRAM
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Organization
- 128MX16
- Memory Width
- 16
- Clock Frequency
- 667MHz
- Number Of Ports
- 1
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.575V
- Kılıf / Paket
- 96-TFBGA
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Genişlik
- 9mm
- Qualification Status
- Not Qualified
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Refresh Cycles
- 8192
- Io Type
- COMMON
- Sequential Burst Length
- 48
- JESD-609 Kodu
- e1
- Access Time
- 20ns
- Ambalaj
- Tray
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.425V
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Pin Sayısı
- 96
- Terminal Sayısı
- 96
- Uzunluk
- 13mm
- Interleaved Burst Length
- 48
- Power Supplies
- 1.5V
- Write Cycle Time Word Page
- 15ns
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Interface
- Parallel
- Memory Types
- Volatile
- Memory Density
- 2147483648 bit
- Besleme Gerilimi
- 1.5V
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Parça Durumu
- Active
- Page Size
- 2kB
- Reach Svhc
- No SVHC
- Output Characteristics
- 3-STATE
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Operating Mode
- ASYNCHRONOUS
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory