Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$5.22
- 10+ adet$4.92
- 100+ adet$4.64
- 500+ adet$4.38
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Density
- 2147483648 bit
- Memory Types
- Volatile
- Memory Interface
- Parallel
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Standby Currentmax
- 0.014A
- Yüzey Montaj
- YES
- Operating Mode
- ASYNCHRONOUS
- Output Characteristics
- 3-STATE
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Parça Durumu
- Active
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Besleme Gerilimi
- 1.5V
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~95°C TC
- Memory Size
- 2Gb 128M x 16
- Jesd30 Code
- R-PBGA-B96
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Besleme Gerilimi
- 1.425V~1.575V
- Clock Frequency
- 667MHz
- Memory Width
- 16
- Organization
- 128MX16
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Memory Format
- DRAM
- ECCN Kodu
- EAR99
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Kılıf / Paket
- 96-TFBGA
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.575V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Number Of Ports
- 1
- Ambalaj
- Tray
- Access Time
- 20ns
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 10
- Refresh Cycles
- 8192
- JESD-609 Kodu
- e1
- Sequential Burst Length
- 48
- Io Type
- COMMON
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Qualification Status
- Not Qualified
- Genişlik
- 9mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory