Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Interface
- Parallel
- Data Bus Width
- 8b
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Address Bus Width
- 15b
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Size
- 512Mb 64M x 8
- Besleme Gerilimi
- 2.3V~2.7V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Format
- DRAM
- HTS Kodu
- 8542.32.00.28
- Organization
- 64MX8
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Clock Frequency
- 166MHz
- Density
- 512 Mb
- Number Of Ports
- 1
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Qualification Status
- Not Qualified
- Refresh Cycles
- 8192
- JESD-609 Kodu
- e3
- Sequential Burst Length
- 248
- Access Time
- 700ps
- Nominal Supply Current
- 370mA
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.3V
- Pin Sayısı
- 66
- Terminal Sayısı
- 66
- Interleaved Burst Length
- 248
- Write Cycle Time Word Page
- 15ns
- Memory Types
- Volatile
- Contact Plating
- Tin
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Besleme Gerilimi
- 2.5V
- Parça Durumu
- Active
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Standby Currentmax
- 0.025A
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory