Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$9.79
- 10+ adet$9.23
- 100+ adet$8.71
- 500+ adet$8.22
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Address Bus Width
- 15b
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Size
- 512Mb 64M x 8
- Besleme Gerilimi
- 2.3V~2.7V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Interface
- Parallel
- Data Bus Width
- 8b
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Qualification Status
- Not Qualified
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Refresh Cycles
- 8192
- JESD-609 Kodu
- e1
- Sequential Burst Length
- 248
- Access Time
- 700ps
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.3V
- Nominal Supply Current
- 370mA
- Pin Sayısı
- 60
- Interleaved Burst Length
- 248
- Terminal Sayısı
- 60
- Write Cycle Time Word Page
- 15ns
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Format
- DRAM
- HTS Kodu
- 8542.32.00.28
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Organization
- 64MX8
- Density
- 512 Mb
- Clock Frequency
- 166MHz
- Number Of Ports
- 1
- Terminal Adımı
- 1mm
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Operating Supply Voltage
- 2.5V
- Montaj
- Surface Mount
- Memory Types
- Volatile
- Besleme Gerilimi
- 2.5V
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Parça Durumu
- Active
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory