Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$10.38
- 10+ adet$9.79
- 100+ adet$9.24
- 500+ adet$8.71
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 2.5V~2.7V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Size
- 512Mb 64M x 8
- Address Bus Width
- 15b
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Data Bus Width
- 8b
- Memory Interface
- Parallel
- Pin Sayısı
- 60
- Nominal Supply Current
- 430mA
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.5V
- Write Cycle Time Word Page
- 15ns
- Terminal Sayısı
- 60
- Interleaved Burst Length
- 248
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Qualification Status
- Not Qualified
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Access Time
- 700ps
- Sequential Burst Length
- 248
- JESD-609 Kodu
- e1
- Refresh Cycles
- 8192
- Number Of Ports
- 1
- Terminal Adımı
- 1mm
- HTS Kodu
- 8542.32.00.28
- Memory Format
- DRAM
- ECCN Kodu
- EAR99
- Clock Frequency
- 200MHz
- Density
- 512 Mb
- Organization
- 64MX8
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Montaj
- Surface Mount
- Parça Durumu
- Active
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Besleme Gerilimi
- 2.6V
- Standby Currentmax
- 0.025A
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Types
- Volatile
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory