Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$3.24
- 10+ adet$3.05
- 100+ adet$2.88
- 500+ adet$2.72
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Write Cycle Time Word Page
- 12ns
- Interleaved Burst Length
- 248
- Uzunluk
- 22.22mm
- Terminal Sayısı
- 66
- Pin Sayısı
- 66
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Nominal Supply Current
- 220mA
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.3V
- Ambalaj
- Tray
- Access Time
- 700ps
- Sequential Burst Length
- 248
- Io Type
- COMMON
- JESD-609 Kodu
- e3
- Refresh Cycles
- 4096
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Kılıf / Paket
- 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Supply Voltagemax Vsup
- 2.7V
- Number Of Ports
- 1
- Memory Width
- 16
- Clock Frequency
- 166MHz
- Density
- 128 Mb
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Organization
- 8MX16
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Memory Format
- DRAM
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Operating Supply Voltage
- 2.5V
- Montaj
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 2.3V~2.7V
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Memory Size
- 128Mb 8M x 16
- Address Bus Width
- 14b
- Standby Currentmax
- 0.003A
- Output Characteristics
- 3-STATE
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Parça Durumu
- Active
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory