Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$6.48
- 10+ adet$6.11
- 100+ adet$5.77
- 500+ adet$5.44
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Format
- DRAM
- HTS Kodu
- 8542.32.00.28
- ECCN Kodu
- EAR99
- Clock Frequency
- 200MHz
- Density
- 512 Mb
- Organization
- 32MX16
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Number Of Ports
- 1
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Access Time
- 700ps
- Sequential Burst Length
- 248
- JESD-609 Kodu
- e3
- Refresh Cycles
- 8192
- Pin Sayısı
- 66
- Nominal Supply Current
- 430mA
- Write Cycle Time Word Page
- 15ns
- Terminal Sayısı
- 66
- Interleaved Burst Length
- 248
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Data Bus Width
- 16b
- Memory Interface
- Parallel
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Memory Size
- 512Mb 32M x 16
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Address Bus Width
- 15b
- Besleme Gerilimi
- 2.5V~2.7V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Memory Width
- 16
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Supply Voltagemax Vsup
- 2.7V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Terminal Kaplaması
- MATTE TIN
- Kılıf / Paket
- 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Ambalaj
- Tray
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Io Type
- COMMON
- Pin Sayısı
- 66
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory