Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$5.06
- 10+ adet$4.77
- 100+ adet$4.50
- 500+ adet$4.24
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- ECCN Kodu
- EAR99
- HTS Kodu
- 8542.32.00.24
- Memory Format
- DRAM
- Organization
- 16MX16
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Clock Frequency
- 200MHz
- Memory Width
- 16
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Density
- 256 Mb
- Supply Voltagemax Vsup
- 2.7V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Number Of Ports
- 1
- Kılıf / Paket
- 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Refresh Cycles
- 8192
- Sequential Burst Length
- 248
- Io Type
- COMMON
- Pin Sayısı
- 66
- Ambalaj
- Tray
- Access Time
- 700ps
- Nominal Supply Current
- 330mA
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.3V
- Pin Sayısı
- 66
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Interleaved Burst Length
- 248
- Uzunluk
- 22.22mm
- Terminal Sayısı
- 66
- Write Cycle Time Word Page
- 15ns
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Memory Types
- Volatile
- Memory Interface
- Parallel
- Data Bus Width
- 16b
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Besleme Gerilimi
- 2.5V
- Parça Durumu
- Active
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Standby Currentmax
- 0.004A
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory