Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$8.01
- 10+ adet$7.56
- 100+ adet$7.13
- 500+ adet$6.73
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Refresh Cycles
- 8192
- Pin Sayısı
- 60
- Io Type
- COMMON
- Sequential Burst Length
- 248
- Ambalaj
- Tray
- Access Time
- 700ps
- Usage Level
- Commercial grade
- Nominal Supply Current
- 330mA
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.3V
- Pin Sayısı
- 60
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Interleaved Burst Length
- 248
- Uzunluk
- 13mm
- Terminal Sayısı
- 60
- Write Cycle Time Word Page
- 15ns
- ECCN Kodu
- EAR99
- HTS Kodu
- 8542.32.00.24
- Memory Format
- DRAM
- Organization
- 16MX16
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Clock Frequency
- 200MHz
- Memory Width
- 16
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Density
- 256 Mb
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Supply Voltagemax Vsup
- 2.7V
- Number Of Ports
- 1
- Kılıf / Paket
- 60-TFBGA
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Address Bus Width
- 15b
- Memory Size
- 256Mb 16M x 16
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Besleme Gerilimi
- 2.3V~2.7V
- Montaj
- Surface Mount
- Operating Supply Voltage
- 2.5V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Memory Types
- Volatile
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory