Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$4.75
- 10+ adet$4.48
- 100+ adet$4.23
- 500+ adet$3.99
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Parça Durumu
- Active
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Yüzey Montaj
- YES
- Output Characteristics
- 3-STATE
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Density
- 1073741824 bit
- Memory Interface
- Parallel
- Memory Types
- Volatile
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.9V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Jesd30 Code
- R-PBGA-B60
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~85°C TC
- Memory Size
- 1Gb 128M x 8
- Number Of Ports
- 1
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.9V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Terminal Kaplaması
- TIN SILVER COPPER
- Kılıf / Paket
- 60-TFBGA
- Memory Format
- DRAM
- ECCN Kodu
- EAR99
- Clock Frequency
- 333MHz
- Memory Width
- 8
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Organization
- 128MX8
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Usage Level
- Commercial grade
- Power Supplies
- 1.8V
- Write Cycle Time Word Page
- 15ns
- Terminal Sayısı
- 60
- Uzunluk
- 10.5mm
- Interleaved Burst Length
- 48
- Qualification Status
- Not Qualified
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Genişlik
- 8mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory