Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$5.68
- 10+ adet$5.36
- 100+ adet$5.06
- 500+ adet$4.77
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Parça Durumu
- Active
- Output Characteristics
- 3-STATE
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Interface
- Parallel
- Memory Types
- Volatile
- Data Bus Width
- 8b
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.9V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Operating Supply Voltage
- 1.8V
- Montaj
- Surface Mount
- Address Bus Width
- 17b
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Size
- 1Gb 128M x 8
- Number Of Ports
- 1
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.9V
- Kılıf / Paket
- 60-TFBGA
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Format
- DRAM
- HTS Kodu
- 8542.32.00.32
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Organization
- 128MX8
- Density
- 1 Gb
- Memory Width
- 8
- Clock Frequency
- 400MHz
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Usage Level
- Industrial grade
- Nominal Supply Current
- 240mA
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Pin Sayısı
- 60
- Terminal Sayısı
- 60
- Uzunluk
- 10.5mm
- Interleaved Burst Length
- 48
- Write Cycle Time Word Page
- 15ns
- Qualification Status
- Not Qualified
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory