Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$8.16
- 10+ adet$7.70
- 100+ adet$7.26
- 500+ adet$6.85
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Density
- 1 Gb
- Organization
- 64MX16
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Memory Format
- DRAM
- ECCN Kodu
- EAR99
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Number Of Ports
- 1
- Access Time
- 450ps
- Sequential Burst Length
- 48
- JESD-609 Kodu
- e1
- Refresh Cycles
- 8192
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Qualification Status
- Not Qualified
- Write Cycle Time Word Page
- 15ns
- Interleaved Burst Length
- 48
- Terminal Sayısı
- 84
- Pin Sayısı
- 84
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Max Frequency
- 333MHz
- Data Bus Width
- 16b
- Memory Interface
- Parallel
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Memory Size
- 1Gb 64M x 16
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Address Bus Width
- 13b
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.9V
- Memory Width
- 16
- Terminal Kaplaması
- TIN SILVER COPPER
- Kılıf / Paket
- 84-TFBGA
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.9V
- Ambalaj
- Tray
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 10
- Io Type
- COMMON
- Uzunluk
- 12.5mm
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Usage Level
- Industrial grade
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory