Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$9.94
- 10+ adet$9.38
- 100+ adet$8.85
- 500+ adet$8.35
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Size
- 1Gb 64M x 16
- Address Bus Width
- 16b
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.9V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Operating Supply Voltage
- 1.8V
- Montaj
- Surface Mount
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Data Bus Width
- 16b
- Memory Interface
- Parallel
- Memory Types
- Volatile
- Parça Durumu
- Active
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Standby Currentmax
- 0.015A
- Output Characteristics
- 3-STATE
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Access Time
- 450ps
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Refresh Cycles
- 8192
- Io Type
- COMMON
- Sequential Burst Length
- 48
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Pin Sayısı
- 84
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Nominal Supply Current
- 220mA
- Usage Level
- Industrial grade
- Write Cycle Time Word Page
- 15ns
- Terminal Sayısı
- 84
- Uzunluk
- 12.5mm
- Interleaved Burst Length
- 48
- Memory Format
- DRAM
- ECCN Kodu
- EAR99
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Density
- 1 Gb
- Clock Frequency
- 333MHz
- Memory Width
- 16
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Organization
- 64MX16
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory