Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$7.81
- 10+ adet$7.37
- 100+ adet$6.95
- 500+ adet$6.56
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Memory Interface
- Parallel
- Data Bus Width
- 16b
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.9V
- Address Bus Width
- 13b
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Size
- 512Mb 32M x 16
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Number Of Ports
- 1
- Additional Feature
- PROGRAMMABLE CAS LATENCY
- Organization
- 32MX16
- Density
- 512 Mb
- Clock Frequency
- 400MHz
- ECCN Kodu
- EAR99
- HTS Kodu
- 8542.32.00.28
- Memory Format
- DRAM
- Interleaved Burst Length
- 48
- Terminal Sayısı
- 84
- Write Cycle Time Word Page
- 15ns
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Pin Sayısı
- 84
- JESD-609 Kodu
- e1
- Sequential Burst Length
- 48
- Refresh Cycles
- 8192
- Access Time
- 400ps
- Qualification Status
- Not Qualified
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Standby Currentmax
- 0.025A
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Parça Durumu
- Active
- Memory Types
- Volatile
- Contact Plating
- Copper, Silver, Tin
- Operating Supply Voltage
- 1.8V
- Montaj
- Surface Mount
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory