Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$7.68
- 10+ adet$7.24
- 100+ adet$6.83
- 500+ adet$6.45
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Parça Durumu
- Active
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Yüzey Montaj
- YES
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Density
- 536870912 bit
- Data Bus Width
- 16b
- Memory Interface
- Parallel
- Memory Types
- Volatile
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.9V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Memory Size
- 512Mb 32M x 16
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Number Of Ports
- 1
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.9V
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Kılıf / Paket
- 84-TFBGA
- Memory Format
- DRAM
- HTS Kodu
- 8542.32.00.28
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Width
- 16
- Clock Frequency
- 400MHz
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Organization
- 32MX16
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Pin Sayısı
- 84
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Write Cycle Time Word Page
- 15ns
- Uzunluk
- 12.5mm
- Terminal Sayısı
- 84
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 10
- Access Time
- 400ps
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- JESD-609 Kodu
- e1
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory