Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$15.72
- 10+ adet$14.83
- 100+ adet$13.99
- 500+ adet$13.20
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Genişlik
- 8mm
- Qualification Status
- Not Qualified
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Io Type
- COMMON
- Sequential Burst Length
- 48
- Refresh Cycles
- 8192
- Access Time
- 450ps
- Ambalaj
- Tray
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Usage Level
- Commercial grade
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Terminal Sayısı
- 84
- Uzunluk
- 12.5mm
- Interleaved Burst Length
- 48
- Power Supplies
- 1.8V
- Write Cycle Time Word Page
- 15ns
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Format
- DRAM
- Additional Feature
- PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH
- Organization
- 128MX16
- Memory Width
- 16
- Clock Frequency
- 333MHz
- Number Of Ports
- 1
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.9V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Kılıf / Paket
- 84-TFBGA
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Jesd30 Code
- R-PBGA-B84
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~85°C TC
- Memory Size
- 2Gb 128M x 16
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.9V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Interface
- Parallel
- Memory Types
- Volatile
- Memory Density
- 2147483648 bit
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Parça Durumu
- Active
- Output Characteristics
- 3-STATE
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory