Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$8.48
- 10+ adet$8.00
- 100+ adet$7.55
- 500+ adet$7.12
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Parça Durumu
- Active
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Output Characteristics
- 3-STATE
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Standby Currentmax
- 0.03A
- Yüzey Montaj
- YES
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Types
- Volatile
- Memory Interface
- Parallel
- Memory Density
- 2147483648 bit
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~1.9V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Memory Size
- 2Gb 128M x 16
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Jesd30 Code
- R-PBGA-B84
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.9V
- Number Of Ports
- 1
- Kılıf / Paket
- 84-TFBGA
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Format
- DRAM
- HTS Kodu
- 8542.32.00.36
- Organization
- 128MX16
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Memory Width
- 16
- Clock Frequency
- 333MHz
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Interleaved Burst Length
- 48
- Uzunluk
- 13.5mm
- Terminal Sayısı
- 84
- Write Cycle Time Word Page
- 15ns
- Power Supplies
- 1.8V
- Genişlik
- 10.5mm
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Qualification Status
- Not Qualified
- Refresh Cycles
- 8192
- Sequential Burst Length
- 48
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory