Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$3.37
- 10+ adet$3.18
- 100+ adet$3.00
- 500+ adet$2.83
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Format
- DRAM
- Memory Width
- 32
- Clock Frequency
- 133MHz
- Density
- 2 Gb
- Organization
- 8MX32
- Additional Feature
- PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.95V
- Number Of Ports
- 1
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Kılıf / Paket
- 90-TFBGA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Qualification Status
- Not Qualified
- Ambalaj
- Tray
- Access Time
- 6ns
- Refresh Cycles
- 4096
- Sequential Burst Length
- 48
- Io Type
- COMMON
- Pin Sayısı
- 90
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Usage Level
- Industrial grade
- Nominal Supply Current
- 120mA
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Interleaved Burst Length
- 48
- Uzunluk
- 13mm
- Terminal Sayısı
- 90
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Data Bus Width
- 32b
- Memory Types
- Volatile
- Memory Interface
- Parallel
- Parça Durumu
- Active
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Standby Currentmax
- 0.0003A
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Memory Size
- 256Mb 8M x 32
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory