Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Size
- 256Mb 8M x 32
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Memory Density
- 268435456 bit
- Memory Types
- Volatile
- Memory Interface
- Parallel
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Standby Currentmax
- 0.003A
- Yüzey Montaj
- YES
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Parça Durumu
- Obsolete
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Ambalaj
- Tray
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Access Time
- 5.4ns
- Refresh Cycles
- 4096
- JESD-609 Kodu
- e1
- Sequential Burst Length
- 1248FP
- Io Type
- COMMON
- Pin Sayısı
- 90
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Qualification Status
- Not Qualified
- Genişlik
- 8mm
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Power Supplies
- 3.3V
- Terminal Sayısı
- 90
- Uzunluk
- 13mm
- Interleaved Burst Length
- 1248
- Pin Sayısı
- 90
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Supply Voltagemin Vsup
- 3V
- Clock Frequency
- 143MHz
- Memory Width
- 32
- Organization
- 8MX32
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Memory Format
- DRAM
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory