Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$2.21
- 10+ adet$2.08
- 100+ adet$1.97
- 500+ adet$1.86
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Access Time
- 5.4ns
- Sequential Burst Length
- 1248FP
- JESD-609 Kodu
- e3
- Refresh Cycles
- 4096
- Pin Sayısı
- 86
- Nominal Supply Current
- 100mA
- Supply Voltagemin Vsup
- 3V
- Interleaved Burst Length
- 1248
- Terminal Sayısı
- 86
- Memory Format
- DRAM
- HTS Kodu
- 8542.32.00.02
- ECCN Kodu
- EAR99
- Clock Frequency
- 166MHz
- Density
- 64 Mb
- Organization
- 2MX32
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Number Of Ports
- 1
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Memory Size
- 64Mb 2M x 32
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Address Bus Width
- 13b
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Data Bus Width
- 32b
- Memory Interface
- Parallel
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Ambalaj
- Tray
- Io Type
- COMMON
- Pin Sayısı
- 86
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Usage Level
- Industrial grade
- Uzunluk
- 22.22mm
- Memory Width
- 32
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Kılıf / Paket
- 86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory