Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$2.55
- 10+ adet$2.41
- 100+ adet$2.27
- 500+ adet$2.14
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Ambalaj
- Tray
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Access Time
- 5.5ns
- Refresh Cycles
- 4096
- JESD-609 Kodu
- e3
- Io Type
- COMMON
- Pin Sayısı
- 86
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Genişlik
- 10.29mm
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Uzunluk
- 22.42mm
- Terminal Sayısı
- 86
- Pin Sayısı
- 86
- Nominal Supply Current
- 160mA
- Supply Voltagemin Vsup
- 3V
- Clock Frequency
- 166MHz
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Density
- 64 Mb
- Organization
- 2MX32
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Memory Format
- DRAM
- ECCN Kodu
- EAR99
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Kılıf / Paket
- 86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Number Of Ports
- 1
- Memory Size
- 64Mb 2M x 32
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Address Bus Width
- 13b
- Yükseklik
- 1.05mm
- Montaj
- Surface Mount
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Contact Plating
- Tin
- Data Bus Width
- 32b
- Memory Types
- Volatile
- Memory Interface
- Parallel
- Kurşunsuz
- Lead Free
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory