Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$2.55
- 10+ adet$2.41
- 100+ adet$2.27
- 500+ adet$2.14
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Refresh Cycles
- 4096
- JESD-609 Kodu
- e3
- Sequential Burst Length
- 1248FP
- Access Time
- 5.4ns
- Genişlik
- 10.16mm
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Qualification Status
- Not Qualified
- Terminal Sayısı
- 54
- Interleaved Burst Length
- 1248
- Supply Voltagemin Vsup
- 3V
- Organization
- 8MX16
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Clock Frequency
- 143MHz
- ECCN Kodu
- EAR99
- HTS Kodu
- 8542.32.00.02
- Memory Format
- DRAM
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Number Of Ports
- 1
- Memory Size
- 128Mb 8M x 16
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Memory Interface
- Parallel
- Memory Density
- 134217728 bit
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Yüzey Montaj
- YES
- Io Type
- COMMON
- Pin Sayısı
- 54
- Ambalaj
- Tray
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 10
- Uzunluk
- 22.22mm
- Power Supplies
- 3.3V
- Usage Level
- Industrial grade
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Memory Width
- 16
- Kılıf / Paket
- 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory