Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Size
- 128Mb 8M x 16
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Address Bus Width
- 14b
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Montaj
- Surface Mount
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Data Bus Width
- 16b
- Memory Interface
- Parallel
- Memory Types
- Volatile
- Parça Durumu
- Active
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Standby Currentmax
- 0.002A
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Qualification Status
- Not Qualified
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Access Time
- 5.4ns
- Ambalaj
- Tray
- Refresh Cycles
- 4096
- JESD-609 Kodu
- e3
- Sequential Burst Length
- 1248FP
- Io Type
- COMMON
- Pin Sayısı
- 54
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Pin Sayısı
- 54
- Supply Voltagemin Vsup
- 3V
- Usage Level
- Commercial grade
- Nominal Supply Current
- 120mA
- Interleaved Burst Length
- 1248
- Uzunluk
- 22.22mm
- Terminal Sayısı
- 54
- Memory Format
- DRAM
- ECCN Kodu
- EAR99
- Density
- 128 Mb
- Clock Frequency
- 166MHz
- Memory Width
- 16
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory