Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Size
- 64Mb 4M x 16
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Address Bus Width
- 14b
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Data Bus Width
- 16b
- Memory Interface
- Parallel
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Access Time
- 5.4ns
- Refresh Cycles
- 4096
- JESD-609 Kodu
- e3
- Sequential Burst Length
- 1248FP
- Pin Sayısı
- 54
- Nominal Supply Current
- 90mA
- Supply Voltagemin Vsup
- 3V
- Interleaved Burst Length
- 1248
- Terminal Sayısı
- 54
- Memory Format
- DRAM
- ECCN Kodu
- EAR99
- Clock Frequency
- 143MHz
- Density
- 64 Mb
- Organization
- 4MX16
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Number Of Ports
- 1
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Montaj
- Surface Mount
- Memory Types
- Volatile
- Parça Durumu
- Active
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Standby Currentmax
- 0.002A
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 10
- Io Type
- COMMON
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory